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Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2
1.0
1
-50 0 50 100 150 200
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C]
0.9
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
o
0
-100
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 25A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
60
100
10
100 μ s
1ms
50
40
DC
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
50 75 100 125
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.01
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on) 10 ms
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
10 100
Drain-Source Voltage, V DS [V]
400
30
20
10
0
25
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
0.5
10
1. Z θ JC (t) = 0.48 C/W Max.
10
10
10
10
10
10
10
-1
-2
- 3
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
-5
- 4
P DM
t 1
t 2
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-3 -2 - 1 0
Rectangular Pulse Duration [sec]
10
1
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FD B 2710 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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